Ⅲ族氮化物半导体材料及其在光电和电子器件中的应用删除本页内容
丛书:信息科学技术专著丛书
作者:胡安琪编著
ISBN:1978-7-5635-6135-32
关键词:氮化物-半导体材料-应用-光电器件-研究-氮化物-半导体材料-应用-电子器件-研究-氮化物-半导体材料-研究
页数:147
出版社: 北京：北京邮电大学出版社
出版日期:2020.08
发现时间:2024年11月22日 23:03
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III族氮化物材料是继第一代和第二代半导体材料后发展起来的第三代半导体的典型材料。它具有禁带宽度大且可调、击穿电压高、载流子迁移率高等优异的物理性质，使其在光电器件和电子器件领域有重要的应用，是当前国内外研究的热点材料。本书分成四个章节对III族氮化物半导体材料及其在光电和电子器件中的应用加以介绍，第一章讲述III族氮化物半导体材料的基本性质及外延生长方法；第二章介绍III族氮化物半导体材料物理性质的表征方法；第三章和第四章结合作者的科研工作分别介绍III族氮化物半导体在光电器件和电子器件中的应用。本书适合微电子、光电子、半导体材料专业的学生和老师阅读，也可供非专业人士作为入门书籍浏览。
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