功率半导体器件电场优化技术
删除本页内容作者:张波；罗小蓉；李肇基著
关键词:功率半导体器件-电场-信息技术
页数:454
出版社: 成都：电子科技大学出版社
出版日期:2015.12
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本书分为七章，第一章为前言；第二章阐释功率半导体器件的结终端和RESURF技术；第三章分析超结的机理、解析模型、结构和工艺制造；第四章阐述SOI高压器件ENDIF理论和技术，并详细介绍ENDIF理论指导下提出的3类SOI高压器件新结构和耐压机理：电荷型SOI高压器件，低K型SOI高压器件，薄硅层SOI高压器件；推导获得新型SOI器件的耐压模型；给出研制步骤并分析实验结果。第五章详细介绍硅基高压器件体内场降低技术，并讨论系列新型REBULF高压器件的机理和设计方法，给出研制方法和实验结果。第六章阐述功率半导体器件发展。第七章结束语。
功率半导体器件-电场-信息技术
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