电子器件和集成电路单粒子效应删除本页内容
丛书:空间科学与技术研究丛书
作者:曹洲，安恒，高欣编
ISBN:1978-7-5682-9656-42
关键词:电子器件-单粒子态-研究；集成电路-单粒子态-研究
页数:458
出版社: 北京：北京理工大学出版社
出版日期:2021.03
发现时间:2024年11月18日 21:22
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本书系统阐述了电子器件和集成电路空间单粒子效应的基本概念和原理，试验测试的基础理论与方法，单粒子效应对电子系统的影响及防护设计的基本方法，空间单粒子翻转率计算方法及不确定性分析等方面内容。全书共分为七章，主要包括：诱发单粒子效应的空间辐射环境，介绍了能够诱发产生单粒子效应的几种空间辐射因素；辐射与半导体材料相互作用，论述了重离子、质子及脉冲激光与半导体材料的相互作用过程；单粒子效应机理与分类，主要对常见单粒子现象产生的基本过程和特征进行了分析说明；单粒子效应测试方法，详细介绍常见单粒子效应（SEU、SEL、SEB、SEGR、SET、SEFI）测试方法及辐射模拟源，包括有关试验及加固保障测试标准与方法；单粒子效应对器件及系统特性的影响，介绍了单粒子效应引起的系统故障及其模拟注入分析方法；单粒子效应减缓设计，介绍了常见单粒子效应（SEU、SEL、SEB、SET、SEFI）诱发系统故障的防护设计方法；模拟试验与单粒子翻转率计算，介绍了单粒子翻转率计算中涉及到的环境因素、模型和方法及不确定度分析等。 本书适用于从事航天器电子系统设计、航天器电子元器件可靠性保证设计验证和集成电路抗辐射加固设计等方面的工程及科研技术人员阅读，也可作为高等院校飞行器设计、集成电路设计等相关专业的研究生、教师的教材和教学参考书。
电子器件-单粒子态-研究；集成电路-单粒子态-研究