纳米CMOS电路和物理设计删除本页内容
丛书:国际信息工程先进技术译丛
作者:BANP.WONG等著
ISBN:1978-7-111-33083-72
关键词:纳米材料-互补MOS集成电路-集成电路-电路设计
页数:345
出版社: 北京：机械工业出版社
出版日期:2011.02
发现时间:2024年9月28日 19:59
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本书将纳米工艺、器件可制造性、先进电路设计和相关物理实现整合到一起，形成了一套先进的半导体技术，探讨了器件和工艺的新发展，提供了设计考虑，重点关注了技术与设计的相互影响，并且描述了可制造性设计和波动性的影响。重要的主题包括纳米CMOS工艺缩小问题及其对设计的影响、亚波长光刻、运行问题的物理与理论以及解决方案、可制造性设计和波动性。
纳米材料-互补MOS集成电路-集成电路-电路设计
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